km48c2000b, km48c2100b
cmos dram
km48v2000b, km48v2100b
交流 特性
(持续)
参数 标识
-5 -6 -7
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
数据 设置-向上 时间
tDS
0 0 0 ns 8
数据 支撑 时间
tDH
10 10 15 ns 8
refresh 时期 (2k, 正常的)
tREF
32 32 32 ms
refresh 时期 (4k, 正常的)
tREF
64 64 64 ms
refresh 时期 (l-ver)
tREF
128 128 128 ms
写 command 设置-向上 时间
tWCS
0 0 0 ns 6
CAS至W延迟 时间
tCWD
36 40 50 ns 6
RAS至W延迟 时间
tRWD
73 85 100 ns 6
column 地址 至W延迟 时间
tAWD
48 55 65 ns 6
CASprecharge 至W延迟 时间
tCPWD
53 60 70 ns 6
CAS设置-向上 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCSR
5 5 5 ns
CAShlod 时间 (CAS-在之前-RASrefresh)
tCHR
10 10 15 ns
RAS至CASprecharge 时间
tRPC
5 5 5 ns
CASprecharge 时间 (cbr 计数器 测试
tCPT
20 20 30 ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
30 35 40 ns 3
快 页 模式 循环 时间
tPC
35 40 45 ns
快 页 读-modify-写 循环 时间
tPRWC
76 85 100 ns
CASprecharge 时间 (快 页 循环)
tCP
10 10 10 ns
RAS脉冲波 宽度 (快 页 循环)
tRASP
50 200K 60 200K 70 200K ns
RAS支撑 时间 从CASprecharge
tRHCP
30 35 40 ns
OE进入 时间
tOEA
13 15 20 ns
OE至 数据 延迟
tOED
13 15 20 ns
输出 缓存区 转变 止 延迟 时间 从OE
tOEZ
0 13 0 15 0 20 ns 5
OEcommand 支撑 时间
tOEH
13 15 20 ns
写 command 设置-向上 时间 (测试 模式 在)
tWTS
10 10 10 ns 10
写 command 支撑 时间 (测试 模式 在)
tWTH
10 10 10 ns 10
W至RASprecharge 时间(c-b-r refresh)
tWRP
10 10 10 ns
W至RAS支撑 时间(c-b-r refresh)
tWRH
10 10 10 ns
RAS脉冲波 宽度 (c-b-r 自 refresh)
tRASS
100 100 100 美国 12
RASprecharge 时间 (c-b-r 自 refresh)
tRPS
90 110 130 ns 12
CAS支撑 时间 (c-b-r 自 refresh)
tCHS
-50 -50 -50 ns 12
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