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图示 10. 一般 模式 拒绝 比率
典型的
图示 11. 单独的 平台 电压 增益 典型的
图示 12. 二 平台 电压 增益 典型的 图示 13. 向前 电流 转移 比率 (h
FE
),
短的 电路 输入 阻抗 (h
IE
), 打开
电路 输出 阻抗 (h
OE
), 和 打开
电路 反转 电压 转移 比率
(h
RE
) vs 集电级 电流 为 各自
晶体管
图示 14. 增益 带宽 产品 (f
T
) vs 集电级
电流
图示 15. 向前 转移 admittance (y
21
) vs
频率
典型 效能 曲线
(持续)
110
100
90
80
一般 模式 拒绝 比率 (db)
0-1-2-3-4
偏差 电压 在 终端 11 (v)
V
CC
= 12v
V
EE
= -6v
f = 1khz
100
75
50
25
0
-25
-50
单独的 平台 电压 增益 (db)
0 -1-2-3-4-5-6-7
偏差 电压 在 终端 11 (v)
V
CC
= 12v
V
EE
= -6v
f = 1khz
信号 输入 = 10mv
RMS
0-1-2-3-4-5-6
偏差 电压 在 terminals 3 和 11 (v)
-7
100
75
50
25
0
-25
-50
二 平台 电压 增益 (db)
V
CC
= 12v
V
EE
= -6v
f = 1khz
信号 输入 = 1mv
RMS
100
10
1.0
0.1
normalized h 参数
0.01 0.1 1.0 10
集电级 电流 (毫安)
V
CB
= 3v
f = 1khz
T
一个
= 25
o
C
h
OE
h
FE
h
RE
h
IE
h
FE
= 110
h
IE
= 3.5k
Ω
h
RE
= 1.88 x 10
-4
h
OE
= 15.6
µ
S
在
1mA
h
RE
h
IE
800
700
600
500
400
300
200
100
1000
900
增益 带宽 产品 (mhz)
01234567891011121314
集电级 电流 (毫安)
V
CB
= 3v
T
一个
= 25
o
C
20
10
0
-10
-20
30
向前 转移 susceptance
或者 conductance (ms)
差别的 配置
V
CB
= 3v
I
C
(各自 晶体管)
≅
1.25ma
T
一个
= 25
o
C
b
21
g
21
0.1 1.0 10 100
频率 (mhz)
CA3054
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