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资料编号:218134
 
资料名称:CEM11C2
 
文件大小: 59.03K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CEM11C2
参数
标识
情况
最小值
Typ
最大值
单位
电的 特性 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
流-源 二极管 特性
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
= 0v, = 2A n-ch 0.76
1.1
-0.80
-1.0
V
GS
= 0v, =-1.8a p-ch
V
b
C
注释
c.有保证的 设计, 主题 生产 测试.
b.脉冲波 测试:脉冲波 宽度 300
s, 职责 循环 2%.
一个.表面 挂载 FR4 板, t 10sec.
n-频道
图示 1. 输出 特性 图示 2. 转移 特性
图示 4. 在-阻抗 变化
电流 温度
图示 3. 电容
V
DS
, 流-至 电压 (v)
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
I
D
, 电流(一个)
c, 电容 (pf)
R
DS (在)
, 在-阻抗 (ohms)
I
D
, 电流 (一个)
I
D
, 电流 (一个)
-55 C
25 C
30
24
18
12
6
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0
Tj=125 C
5-151
5
25
20
15
10
5
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
V
GS
=10,8,7,6,5v
V
GS
=4V
V
GS
=3V
Tj=125 C
25 C
-55
C
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0 5 10 15 20
V
GS
=10V
0 5 10 15 20 25 30
Ciss
Coss
Crss
1800
1500
1200
900
600
300
0
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