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资料编号:218176
 
资料名称:CEM8206
 
文件大小: 61.54K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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图示 5. 门槛 变化
温度
图示 6. 损坏 电压 变化
温度
vth, Normalized
门-源 门槛 电压
g
FS
, 跨导 (s)
V
GS
, 电压 (v)
BV
DSS
, Normalized
流-源 损坏 电压
是, 源-流 电流 (一个)
图示 7. 跨导 变化
电流
I
DS
, 流-源 电流 (一个)
图示 9. 承担
qg, 总的 承担 (nc)
图示 10. 最大 Safe
运行 范围
V
DS
, 流-源 电压 (v)
图示 8. 身体 二极管 向前 电压
变化 电流
V
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
tj, 接合面 温度 ( c)
tj, 接合面 温度 ( c)
I
D
, 电流 (一个)
5-76
5
CEM8206
1.60
1.40
1.20
1.00
0.60
0.80
0.40
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=250
一个
-50 -25 0
25
50
75
100 125
150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=250
一个
4
5
3
2
1
0
02
46
8
10 12 14 16
V
DS
=4.5v
I
D
=6A
25
20
15
10
30
0
0 3 6 9 12 15
5
V
DS
=10V
10
10
-1
10 10
1
01
10
-2
10
0
10
1
10
-1
10s
1ms
T
一个
=25 C
单独的 脉冲波
Tj=150 C
rds(在)li
m
D
C
100ms
1
s
10ms
50
10
1
0.1
0.4 0.6 0.8
1.0
1.2
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