8.0 电的 特性
(持续)
直流 电的 特性 (−40˚c
≤
T
一个
≤
+125˚c)
(持续)
数据手册 最小值/最大值 规格 限制 是 有保证的 用 设计, 测试, 或者 statistical 分析.
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
双 时钟 模式
CKI = 10 mhz, 低 速 OSC = 32 kHz V
CC
= 5.5v, t
C
= 0.5 µs 2.7 毫安
低 速 模式
低 速 OSC = 32 kHz V
CC
= 5.5v 30 70 µA
供应 电流 为 BOR 特性 V
CC
= 5.5v 45 µA
高 Brownout Trip 水平的 (bor 使能) 4.17 4.28 4.5 V
输入 水平 (v
IH
,v
IL
)
逻辑 高 0.8 V
CC
V
逻辑 低 0.16 V
CC
V
内部的 偏差 电阻 为 这 CKI
结晶/共振器 振荡器
0.3 1.0 2.5 M
Ω
hi-z 输入 泄漏 V
CC
= 5.5v −3 +3 µA
输入 Pullup 电流 V
CC
= 5.5v, V
在
= 0V −40 −250 µA
端口 输入 Hysteresis 0.25 V
CC
V
输出 电流 水平
D 输出
源 V
CC
= 4.5v, V
OH
= 3.8v −6.3 毫安
下沉 (便条 7) V
CC
= 4.5v, V
OL
= 1.0v 9 毫安
所有 其他
源 (弱 拉-向上 模式) V
CC
= 4.5v, V
OH
= 3.8v −9 µA
源 (推-拉 模式) V
CC
= 4.5v, V
OH
= 3.8v −6.3 毫安
下沉 (推-拉 模式) (便条 7) V
CC
= 4.5v, V
OL
= 1.0v 9 毫安
触发-状态 泄漏 V
CC
= 5.5v −3 +3 µA
容许的 下沉 电流 每 管脚 1mA
最大 输入 电流 没有 Latchup (便条 5)
±
200 毫安
内存 保持 电压, V
R
(在 HALT 模式) 2.0 V
输入 电容 7pF
加载 电容 在 D2 1000 pF
电压 在 G6 至 强迫 执行 从 激励
只读存储器(便条 *NO 目标 为 FNXref ns20196*)
G6 上升 时间 必须 是 slower 比
100 ns
2xV
CC
V
CC
+7 V
G6 上升 时间 至 强迫 执行 从 激励 只读存储器 100 nS
输入 电流 在 G6 当 输入
>
V
CC
V
在
= 11v, V
CC
= 5.5v 500 µA
交流 电的 特性 (−40˚c
≤
T
一个
≤
+125˚c)
数据手册 最小值/最大值 规格 限制 是 有保证的 用 设计, 测试, 或者 statistical 分析.
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
操作指南 循环 时间 (t
C
)
结晶/共振器 4.5v
≤
V
CC
≤
5.5v 0.5 直流 µs
输出 传播 延迟 R
L
=2.2k, C
L
= 100 pF
频率 的 microwire/加 在
从动装置 模式
2 MHz
microwire/加 建制 时间 (t
UWS
)20ns
microwire/加 支撑 时间 (t
UWH
)20ns
microwire/加 输出 传播
延迟 (t
UPD
)
150 ns
输入 脉冲波 宽度
中断 输入 高 时间 1 t
C
cop8sbr9/cop8scr9/cop8sdr9
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