—6—
cxd1803aq/ar
电的 特性
直流 特性 (v
DD
= 5 v ± 10%, v
SS
= 0 v, topr = –20 - 75°c)
Item 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
ttl 输入 水平的 管脚
∗
1
高 水平的 输入 电压
V
IH1
2.2 V
ttl 输入 水平的 管脚
∗
1
低 水平的 输入 电压
V
IL1
0.8 V
cmos 输入 水平的 管脚
∗
2
高 水平的 输入 电压
V
IH2
0.7v
DD
V
cmos 输入 水平的 管脚
∗
2
低 水平的 输入 电压
V
IL2
0.3v
DD
V
cmos 施密特 输入 水平的 管脚
∗
3
高 水平的 输入 电压
V
IH4
0.8v
DD
V
cmos 施密特 输入 水平的 管脚
∗
3
低 水平的 输入 电压
V
IL4
0.2v
DD
V
cmos 施密特 输入 水平的 管脚
∗
3
输入 电压 hysteresis
V
IH4
至 v
IL4
0.6 V
ttl 施密特 输入 水平的 管脚
∗
4
高 水平的 输入 电压
V
IH5
2.2v V
ttl 施密特 输入 水平的 管脚
∗
4
低 水平的 输入 电压
V
IL5
0.8v V
ttl 施密特 输入 水平的 管脚
∗
4
输入 电压 hysteresis
V
IH4
至 v
IL4
0.4 V
双向的 管脚 和 拉-向上 电阻
∗
5
输入 电流
I
IL3
V
在
=0V –90 –200 –440 µA
管脚 和 拉-向上 电阻
∗
6
输入 电流
I
IL4
V
在
=0V –40 –100 –240 µA
高 水平的 输出 电压
∗
7 v
OH1
I
OH
=–2mA V
DD
-0.8 V
低 水平的 输出 电压
∗
7 v
OL1
I
OL
=–4mA 0.4 V
输入 泄漏 电流
∗
8I
I1
V
在
=V
SS
–10 10 µA
或者 v
DD
输出 泄漏 电流
∗
9I
OZ
高-阻抗
–40 40 µA
状态
振动 cell
∗
10 高 水平的 输入 电压 V
IH4
0.7v
DD
V
振动 cell 低 水平的 输入 电压 V
IL4
0.3v
DD
V
振动 cell 逻辑 门槛 值 LV
TH
0.5v
DD
V
振动 cell 反馈 阻抗 值 R
FB
V
在
=V
SS
250K 1M 2.5m
Ω
或者 v
DD
振动 cell
高 水平的 输出 电压
V
OH2
I
OH
=–3mA 0.5v
DD
V
振动 cell
低 水平的 输出 电压
V
OL2
I
OL
=3mA 0.5v
DD
V
: 点此下载
