NTHD4N02F
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3
典型 场效应晶体管 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
2 v
100
°
C
0
8
5
6
632
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
I
d,
流 电流 (放大器)
4
2
0
1
图示 1. on−region 特性
0
8
21.5 2.5
6
4
2
1
0
3
图示 2. 转移 特性
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
35
0.1
0.05
0
图示 3. on−resistance vs. gate−to−source
电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
I
d,
流 电流 (放大器)
17
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
I
d,
流 电流 (放大器)
−50 0−25 25
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
50 125100
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
T
J
= 25
°
C
0.15
24
T
C
= −55
°
C
I
D
= 2.9 一个
T
J
= 25
°
C
0.1
0.04
75 150
T
J
= 25
°
C
I
D
= 2.9 一个
V
GS
= 4.5 v
R
ds(在),
DRAIN−TO−SOURCE
阻抗 (normalized)
4
25
°
C
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
1.7
V
GS
= 4.5 v
16
24 8
1
2016
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
12
V
GS
= 0 v
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 100
°
C
1.4 v
1.6 v
1.8 v
V
GS
= 2.5 v
10
100
78
2.2 v
V
DS
≥
10 v
35
0.07
610 1814
V
GS
= 2.4 v
V
GS
= 5 v 至 3 v
910
0.5
0
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