NTHD4P02F
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3
典型 场效应晶体管 效能 曲线
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
−2 v
100
°
C
0
4
5
3
632
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
−I
d,
流 电流 (放大器)
2
1
0
1
图示 1. on−region 特性
0.5
4
21.5 2.5
3
2
1
1
0
3
图示 2. 转移 特性
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
0.1
35
0.3
0.2
0
图示 3. on−resistance vs. gate−to−source
电压
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
−I
d,
流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance vs. 流 电流 和
门 电压
−I
d,
流 电流 (放大器)
−50 0−25 25
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50 125100
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
−T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
T
J
= 25
°
C
0.5
24
T
C
= −55
°
C
I
D
= −2.1 一个
T
J
= 25
°
C
75 150
I
D
= −2.1 一个
V
GS
= −4.5 v
R
ds(在),
DRAIN−TO−SOURCE
阻抗 (normalized)
4
25
°
C
R
ds(在),
drain−to−source 阻抗 (
)
1.6
−1.2 v
16
24 8
10
2016
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
vs. 电压
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
12
V
GS
= 0 v
−I
DSS
, 泄漏 (一个)
T
J
= 150
°
C
T
J
= 100
°
C
−1.4 v
−1.6 v
−1.8 v
100
1000
10000
78
−2.2 v
V
DS
≥
−10 v
0.4
610 1814
V
GS
= −2.4 v
V
GS
= −6 v 至 −3 v
0.1
0.125
0.15
0.175
0.2
0.225
0.5 1.5 2.5 3.5
0.25
T
J
= 25
°
C
V
GS
= −4.5 v
V
GS
= −2.5 v
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