dg333a/333al
vishay siliconix
文档 号码: 70803
s-52433—rev. b, 06-sep-99
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4-3
测试 情况
除非 否则 指定
V15VV 15V
限制
d 后缀 –40 至 85
C
参数 标识
v+ = 15 v, v– = –15 v
V
在
= 2.4 v, 0.8 v
e
温度
一个
最小值
b
Typ
c
最大值
b
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
d
V
相似物
全部 V– V+ V
频道 在-阻抗
r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
=
10 v
房间
全部
25 45
90
在-阻抗 flatness
r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
=
5 v
v+ = 16.5 v, v– = –16.5 v
房间
全部
3
5
r
ds(在)
相一致 在 途径
f
r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
=
10 v
房间
全部
2
4
源 止 泄漏 电流 I
s(止)
V
D
=
15.5 v, v
S
=
15.5 v
v+ = 16.5v, v– = –16.5 v
房间
Hot
–0.25
–20
0.25
20
nA
频道 在 泄漏 电流 I
d(在)
V
D
=
15.5 v, v
s(打开)
=
15.5 v
v+ = 16.5v, v– = –16.5 v
房间
Hot
–0.75
–60
0.75
60
nA
数字的 控制
输入 电压 高 V
INH
全部 2.4
V
输入 电压 低 V
INL
全部 0.8
V
输入 电流 I
INH
或者 i
INL
V
INH
或者 v
INL
全部 –1 1
一个
动态 特性
转变-在 时间 t
在
看 切换 时间 测试 电路
房间 175
转变-止 时间 t
止
看 切换 时间 测试 电路
图示 2
房间 145
ns
破裂-在之前-制造 时间 延迟 t
D
看 图示 3 房间 5
承担 injection
d
Q C
L
= 10 nf, v
gen
= 0 v, r
gen
= 0
房间 10 pC
止 分开 OIRR
R
L
= 75
C
L
= 5 pf
V23V f1MH
房间 72
dB
频道-至-频道 串扰 X
表达
L
L
p
V
D
= 2.3 v
RMS
, f = 1 mhz
房间 80
dB
止 电容 C
止
f = 1 mhz, v
S
=0 v
房间 8
pF
频道 在 电容 C
在
f= 1 mhz, v
S
= 0 v
房间 12
pF
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
dg333a: V
在
=0or5V
房间 200
一个
负的 供应 电流 I–
DG333A: v
在
= 0 或者 5 v
房间 –1
一个
积极的 供应 电流 I+
DG333AL V 0 5 V V 5 V
房间 1
一个
逻辑 供应 电流 I
L
dg333al: v
在
= 0 或者 5 v, v
L
= 5 v
房间 1
负的 供应 电流 I– 房间 –1
供应 电压 范围 v+/v– 全部
4
22 V
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