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dg540/541/542
6 Siliconix
s-53694—rev. e, 28-将-97
典型 特性 (内容’d)
–110
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
承担 injection vs. v
S
切换 时间 vs. 温度
(dg540/541)
止 分开 vs. 频率 和 加载 阻抗
(dg540)
所有 不利的 串扰
f – 频率 (mhz) f – 频率 (mhz)
V
S
– 源 电压 (v) 温度 (

c)
oirr (db)
(db)
表达
X
q (pc)
时间 (ns)
1
10 100
DG541
DG540
DG542
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
C
L
= 1000 pf
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
1 10 100
R
L
= 75

1 k

10 k

180

90
70
60
50
40
30
20
10
0
–55 –25 125
80
t
在
t
止
0 25 50 75 100
切换 和 破裂-在之前-制造 时间
vs. 温度 (dg542)
温度 (

c)
时间 (ns)
90
70
60
50
40
30
20
10
0
–55 –25 125
80
0 25 50 75 100
t
在
t
止
t
BBM
运行 供应 电压 范围
v+ – 积极的 供应 (v)
v– – 负的 供应 (v)
20
18
16
14
12
10
0 –1–2–3–4–5–6
运行
电压
范围

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dg540/541/542 6 Siliconix s-53694—rev. e, 28-将-97 典型特性 (内容’d) –110 –100 –90 –80 –70 –60 –50 –40 –30 –20 –10 承担 injection vs. v S 切换时间 vs. 温度 (dg540/541) 止分开 vs. 频率和加载阻抗 (dg540) 所有不利的串扰 f – 频率 (mhz) f – 频率 (mhz) V S – 源电压 (v) 温度 (  c) oirr (db) (db) 表达 X q (pc) 时间 (ns) 1 10 100 DG541 DG540 DG542 40 30 20 10 0 –10 –20 –30 –40 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 C L = 1000 pf –100 –90 –80 –70 –60 –50 –40 –30 –20 –10 0 1 10 100 R L = 75  1 k  10 k  180  90 70 60 50 40 30 20 10 0 –55 –25 125 80 t 在 t 止 0 25 50 75 100 切换和破裂-在之前-制造时间 vs. 温度 (dg542) 温度 (  c) 时间 (ns) 90 70 60 50 40 30 20 10 0 –55 –25 125 80 0 25 50 75 100 t 在 t 止 t BBM 运行供应电压范围 v+ – 积极的供应 (v) v– – 负的供应 (v) 20 18 16 14 12 10 0 –1–2–3–4–5–6 运行电压范围

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