intel strataflash™ 记忆 技术, 32 和 64 mbit
E
8
进步 信息
表格 1. 含铅的 描述
(持续)
标识 类型 名字 和 函数
BYTE# 输入
字节 使能:
byte# 低 places 这 设备 在 x8 模式. 所有 数据 是 然后 输入
或者 输出 在 dq
0
–DQ
7
, 当 dq
8
–DQ
15
float. 地址 一个
0
选择 在 这
高 和 低 字节. byte# 高 places 这 设备 在 x16 模式, 和 转变 止 这
一个
0
输入 缓存区. 地址 一个
1
然后 变为 这 最低 顺序 地址.
V
PEN
输入
擦掉 / 程序 / 块 锁 使能:
为 erasing 排列 blocks,
程序编制 数据, 或者 configuring 锁-位.
和 v
PEN
≤
V
PENLK
, 记忆 内容 不能 是 改变.
V
CC
供应
设备 电源 供应:
和 v
CC
≤
V
LKO
, 所有 写 attempts 至 这 flash
记忆 是 inhibited.
V
CCQ
输出
缓存区
供应
输出 缓存区 电源 供应:
这个 电压 控制 这 设备的 输出
电压. 至 获得 输出 电压 兼容 和 系统 数据 总线 电压,
连接 v
CCQ
至 这 系统 供应 电压.
地 供应
地面:
做 不 float 任何 地面 管脚.
NC
非 连接:
含铅的 是 不 内部 连接; 它 将 是 驱动 或者 floated.
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