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资料编号:305623
 
资料名称:SI4850EY-T1
 
文件大小: 61K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4850EY
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71146
s-40572—rev. d, 29-三月-04
规格 (t
J
= 25
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个 60
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 20
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
40 一个
V
GS
= 10
v,I
D
= 6.0 一个
0.018 0.022
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 6.0 一个, t
J
= 125
C
0.031 0.037
Dra在-源 在-状态Resistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 6.0 一个, t
J
= 175
C
0.039 0.047
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 5.1 一个 0.025 0.031
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 6.0 一个 25 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
18 27
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 30 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.0 一个 3.4 nC
门-流 承担 Q
gd
5.3
门 阻抗 R
g
V
GS
=0.1 v, f = 5 mhz
0.5 1.4 2.4
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
10 20
上升 时间 t
r
V
DD
= 30 v, r
L
= 30
10 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 30 v,R
L
= 30
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
g
= 6
25 50
ns
下降 时间 t
f
12 24
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 50 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
8
16
24
32
40
012345
0
8
16
24
32
40
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
V
GS
= 10 thru 5 v
25
C
T
C
= 150
C
4 v
55
C
3 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
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