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mrf184 mrf184s
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
RF 电源 地方-效应 晶体管
n–channel enhancement–mode lateral mosfets
设计 为 broadband 商业的 和 工业的 产品 在 frequen-
cies 至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 broadband 效能 的 这些 设备
制造 它们 完美的 为 large–signal, 一般 源 放大器 产品 在 28
volt 根基 station 设备.
•
有保证的 效能 @ 945 mhz, 28 伏特
输出 电源 = 60 watts
电源 增益 = 11.5 db
效率 = 53%
•
典型 和 序列 相等的 large–signal
阻抗 参数
•
s–parameter 描绘 在 高 偏差 水平
•
极好的 热的 稳固
•
有能力 的 处理 30:1 vswr @ 28 vdc,
945 mhz
最大 比率
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 V
GS
±
20 Vdc
流 电流 — 持续的 I
D
7 模数转换器
总的 设备 消耗 @ t
C
= 70
°
C
减额 在之上 70
°
C
P
D
118
0.9
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
– 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.1
°
c/w
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0 v, i
D
= 1
m
模数转换器)
V
(br)dss
65 – – Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0 v)
I
DSS
– – 1
µ
模数转换器
gate–source 泄漏 电流
(v
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v)
I
GSS
– – 1
µ
模数转换器
便条 –
提醒
– mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf184/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF184
MRF184S
60 w, 1.0 ghz
lateral n–channel
BROADBAND
rf 电源 mosfets
情况 360b–01, 样式 1
(mrf184)
情况 360c–03, 样式 1
(mrf184s)
motorola, 公司 1997
G
D
S
rev 2
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