january 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
256-位, 1-位 每 文字 随机的 进入 memories
HEF4720B
HEF4720V
I
DD
限制
看 在下.
函数 表格
注释
1. h = 高 状态 (这 更多 积极的 电压)
L = 低 状态 (这 较少 积极的 电压)
X = 状态 是 不重要
Z = 高 阻抗 止-状态
CS W O O 模式
L H 数据 写 complement 的 数据 写
在 记忆 写 在 记忆
L L 数据 写 complement 的 数据 读
在 记忆 写 在 记忆
H X Z Z inhibit
固定
CS 碎片 选择 输入 (起作用的 低)
W 写 使能 输入
D 数据 输入
一个
0
至 一个
7
地址 输入
O 3-状态 输出 (起作用的 高)
O 3-状态 输出 (起作用的 低)
供应 电压
这 值 给 在 v
DD
= 15 v 在 这 下列的 直流 和
交流 特性, 是 不 适用 至 这 hef4720v,
因为 的 它的 更小的 供应 电压 范围.
直流 特性
V
SS
=0 v
比率 推荐 运行 保卫-用 最小值
HEF4720B
−
0,5 至 18 3,0 至 15,0 3 V
HEF4720V
−
0,5 至 18 4,5 至 12,5 3 V
V
DD
V
V
OL
V
标识
T
amb
(
°
c)
−
40
+
25
+
85
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
输出 电流 4,75 0,4 2,4 2 1,6 毫安
低 10 0,5 I
OL
4,8 4 3,2 毫安
15 1,5 10,0 10 7,5 毫安
安静的 设备 5 25 25 200
µ
一个
电流 10 I
DD
50 50 400
µ
一个
15 100 100 800
µ
一个
输入 泄漏 电流
HEF4720V 10
±
I
在
0,3 0,3 1
µ
一个
HEF4720B 15 0,3 0,3 1
µ
一个
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