january 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
256-位, 1-位 每 文字 随机的 进入 memories
HEF4720B
HEF4720V
交流 特性
一个.c. 特性
V
SS
= 0 v; t
amb
=25
°
c; C
L
= 50 pf; 输入 转变 时间
≤
20 ns
V
DD
V
标识 最小值 典型值 最大值
55pF
输出 电容 10 C
O
5pF
15 5 pF
V
DD
V
标识 最小值 典型值 最大值
典型 extrapolation
FORMULA
读 循环
5 320 580 ns 292 ns
+
(0,55 ns/pf) c
L
读 进入 时间 10 t
ACC
130 220 ns 118 ns
+
(0,23 ns/pf) c
L
15 100 160 ns 92 ns
+
(0,16 ns/pf) c
L
碎片 选择 至 5 180 ns
输出 时间 10 t
CO
70 ns
15 50 ns
50ns
地址 支撑 时间 10 t
OA
0ns
15 0 ns
输出 支撑 时间 5 60 170 ns 142 ns
+
(0,55 ns/pf) c
L
和 遵守 至 10 t
VAL1
20 50 ns 38 ns
+
(0,23 ns/pf) c
L
地址 输入 15 15 40 ns 32 ns
+
(0,16 ns/pf) c
L
输出 支撑 时间 5 130 ns
和 遵守 至 10 t
COH
70 ns
碎片 选择 输入 15 60 ns
输出 floating 时间 5 0 ns
和 遵守 至 10 t
COF
0ns
碎片 选择 输入 15 0 ns
5 580 ns
读 循环 时间 10 t
RC
220 ns
15 160 ns
输出 转变 5 60 120 ns 10 ns
+
(1,0 ns/pf) c
L
时间 10 t
TLH
30 60 ns 9 ns
+
(0,42 ns/pf) c
L
低 至 高 15 20 40 ns 6 ns
+
(0,28 ns/pf) c
L
54080ns14ns
+
(0,52 ns/pf) c
L
高 至 低 10 t
THL
22 40 ns 11 ns
+
(0,22 ns/pf) c
L
15 15 30 ns 7 ns
+
(0,16 ns/pf) c
L
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