HEF4720BD_集成电路资料查询网

january 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
256-位, 1-位 每 文字 随机的 进入 memories
HEF4720B
HEF4720V
交流 特性
V
SS
= 0 v; t
amb
=25
°
c; C
L
= 50 pf; 输入 转变 时间
≤
20 ns
V
DD
V
标识 最小值 典型值 最大值
写 循环
5 580 ns
写 循环 时间 10 t
WC
220 ns
15 160 ns
地址 至 写 5 110 ns
设置-向上 时间 10 t
AW
50 ns
15 50 ns
5 370 10 000 ns
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130 10 000 ns
15 80 10 000 ns
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40 ns
15 30 ns
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数据 设置-向上 时间 10 t
DW
100 ns
15 80 ns
5 100 ns
数据 支撑 时间 10 t
DH
30 ns
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碎片 选择 设置-向上 5 370 ns
时间 和 遵守 10 t
CSW
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至 写 脉冲波 15 80 ns
碎片 选择 支撑 5 0 ns
时间 和 遵守 10 t
CSH
0ns
至 写 脉冲波 15 0 ns
碎片 选择 含铅的 时间 5 0 ns
在 写 脉冲波 至 10 t
CSL
0ns
阻止 writing 15 0 ns

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january 1995 5 飞利浦半导体产品规格 256-位, 1-位每文字随机的进入 memories HEF4720B HEF4720V 交流特性 V SS = 0 v; t amb =25 ° c; C L = 50 pf; 输入转变时间 ≤ 20 ns V DD V 标识最小值典型值最大值写循环 5 580 ns 写循环时间 10 t WC 220 ns 15 160 ns 地址至写 5 110 ns 设置-向上时间 10 t AW 50 ns 15 50 ns 5 370 10 000 ns 写脉冲波宽度 10 t WP 130 10 000 ns 15 80 10 000 ns 5 100 ns 写恢复时间 10 t WR 40 ns 15 30 ns 5 250 ns 数据设置-向上时间 10 t DW 100 ns 15 80 ns 5 100 ns 数据支撑时间 10 t DH 30 ns 15 20 ns 碎片选择设置-向上 5 370 ns 时间和遵守 10 t CSW 130 ns 至写脉冲波 15 80 ns 碎片选择支撑 5 0 ns 时间和遵守 10 t CSH 0ns 至写脉冲波 15 0 ns 碎片选择含铅的时间 5 0 ns 在写脉冲波至 10 t CSL 0ns 阻止 writing 15 0 ns

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