IRF7379
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图 19.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 18.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
p-频道
图 20.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
-
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-v , 流-至-源 电压 (v)
V=0V, f = 1MH z
C= c+C , c SHORTED
C= c
C= c+C
GS
iss
gs gdds
rss
gd
oss ds
gd
C
是s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25
Q, total gateCharge (nC)
G
一个
-v, gate-至-source voltage (v)
GS
i =-3.0一个
v = -24v
DS
D
为 测试 电路
SEE图URE22
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)