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资料编号:318034
 
资料名称:IRF820A
 
文件大小: 100.33K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF820A
6 www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
10 v
图 13b.
门 承担 测试 电路
图 13a.
基本 门 承担 波形
图 12c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 12b.
unclamped inductive 波形
图 12a.
unclamped inductive 测试 电路
t
p
V
(br)dss
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
25 50 75 100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
1.1a
1.6a
2.5a
图 12d.
典型 流-至-源 电压
vs. avalanche 电流
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
I
AV
, avalanche 电流 ( 一个)
550
600
650
700
V
DSav
, avalanche 电压 ( v )
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