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资料编号:320055
 
资料名称:IRF9952
 
文件大小: 134.65K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=+-30V)
 
 


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IRF9952
图 16.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 19.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 17.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 18.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
p-频道
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
-10v
-1.0a
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
一个
-i ,D rain current (一个)
D
V= -10v
V= -4.5v
GS
GS
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
03691215
一个
GS
I=-2.3A
D
-v, 门-至-源 电压 (v)
R
ds(在
)
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
25 50 75 100 125 150
0
30
60
90
120
150
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
-0.58a
-1.0a
-1.3a
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