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资料编号:321754
 
资料名称:IRFB61N15D
 
文件大小: 211.47K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
 
 


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8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFB61N15D
8 www.irf.com
含铅的 assignments
1 - g ATE
2 - dR AIN
3 - 源
4 - dR AIN
- b -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
3X
0.55 (.022)
0.46 (.018)
2.92 (.115)
2.64 (.104)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
4.06 (.160)
3.55 (.140)
1.15 (.045)
最小值
6.47 (.255)
6.10 (.240)
3.78 (.149)
3.54 (.139)
- 一个 -
10.54 (.415)
10.29 (.405)
2.87 (.113)
2.62 (.103)
15.24 (.600)
14.84 (.584)
14.09 (.555)
13.47 (.530)
3X
1.40 (.055)
1.15 (.045)
2.54 (.100)
2X
0.36 (.014) m b 一个 m
4
1 2 3
注释:
1 dIMENSIONINg &放大;TOLerancing pER一个si y14.5m, 1982. 3 o UTLINECO NF orms to 电子元件工业联合会 OUTLine 至-220ab.
2 controlling 维度 : inch 4 散热器 &放大; 含铅的 度量 做 not 包含 burrs.
至-220ab 部分 标记 信息
至-220ab 包装 外形
维度 是 显示 在 毫米 (英寸)
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
I
SD
37a, di/dt
170a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
175°C
注释:
开始 t
J
= 25°c, l = 0.98mh
R
G
= 25
, i
= 37a, v
GS
=10V
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意.
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这 工业的 market.
资格 standards 能 是 建立 在 ir’s 网 站点.
ir world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, usa 电话: (310) 252-7105
tac 传真: (310) 252-7903
visit 美国 在 www.irf.com 为 销售 联系 信息
.
5/01
例子:
这个一个 irf1010
LOT 代号1789
S EMBLEd 在 ww 19, 1997
在 这 组装 线条 "c"
INT ERNAT IONAL
RECTIFIER
标志
组装
lot 代号
部分 号码
DAT E 代号
YEar 7 = 1997
week 19
线条 c
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