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资料编号:323078
 
资料名称:FDC658P
 
文件大小: 249.44K
   
说明
 
介绍:
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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fdc658p rev.c
0 1 2 3 4
0
4
8
12
16
20
-v , 流-源 电压 (v)
- i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
-4.5v
-4.0v
-6.0v
-3.5v
-3.0v
v = -10v
GS
0 4 8 12 16 20
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
- i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -4.0 v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-10.0v
-4.5v
-6.0v
-8.0v
-5.0v
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
图示 3. 在-阻抗 变化
和 温度.
图示 5.转移 特性.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
20
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
-i , 反转 流 电流 (一个)
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
t = 125°c
J
图示 4.在-阻抗
变化
门-to-源 电压.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = -10v
GS
i = -4a
D
2 4 6 8 10
0
0.04
0.08
0.12
0.16
-v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
i = -2a
D
t = 125°c
J
t = 25°c
J
1 2 3 4 5 6
0
4
8
12
16
20
-v , 门 至 源 电压 (v)
- i , 流 电流 (一个)
v = -5v
DS
GS
D
t = -55°c
J
125°C
25°C
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
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