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资料编号:323332
 
资料名称:FDFS6N303
 
文件大小: 96.19K
   
说明
 
介绍:
N-Channel MOSFET with Schottky Diode
 
 


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fdfs6n303 rev. d1
典型 场效应晶体管 和 肖特基 电的 特性
图示 8.电容 特性.
图示 7. 门 承担 特性.
0 2 4 6 8 10 12 14
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 6.0a
D
v = 5v
DS
10V
15V
0.1 0.3 1 3 10 30
50
100
200
500
1000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
iss
C
rss
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t /t
1 2
r (t) = r(t) * r
r =135° c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 note 1c.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
图示 10.肖特基 二极管 reverse 电流.
图示 9.肖特基 二极管 向前 电压
.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.1
1
10
v , 向前 电压 (v)
i , 向前 电流 (一个)
25°C
F
F
t = 125°c
J
0 5 10 15 20 25 30
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
v , 反转 电压 (v)
i , 反转 电流 (一个)
t = 125°c
J
25°C
R
R
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