april 2002
2002 仙童 半导体 公司
fdg901d rev. e (w)
FDG901D
回转 比率 控制 驱动器 ic 为 p-频道 mosfets
一般 描述
这 fdg901d 是 specifically 设计 至 控制 这
转变 在 的 一个 p-频道 场效应晶体管 在 顺序 至 限制 这
inrush 电流 在 电池 切换 产品 和 高
电容 负载. 在 转变-在 这 fdg901d 驱动
这 场效应晶体管’s 门 低 和 一个 管制 电流
源, 因此 controlling 这 场效应晶体管’s 转变 在. 为
转变-止, 这 ic pulls 这 场效应晶体管 门 向上 quickly, 为
效率高的 转变 止.
产品
•
电源 管理
•
电池 加载 转变
特性
•
三 可编程序的 回转 比率
•
减少 inrush 电流
•
降低 emi
•
正常的 转变-止 速
•
低-电源 cmos 运作 在 宽 电压 范围
•
紧凑的 工业 标准 sc70-5 表面 挂载
包装
管脚 1
逻辑 在
5
4
1
2
3
地
门
回转
VDD
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DD
供应 电压 -0.5 至 10 V
V
在
直流 输入 电压 (逻辑 输入) -0.7 至 6 V
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作 @ 85°c 150 mW
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 -65 至 +150
°
C
推荐 运行 范围
V
DD
供应 电压 2.7 至 6.0 V
T
J
运行 温度 -40 至 +125
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1)
425
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
91 FDG901D 7’’ 8mm 3000 单位
FDG901D
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