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资料编号:323576
 
资料名称:FDS5690
 
文件大小: 236.15K
   
说明
 
介绍:
60V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDS5690
fds5690 rev. c
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的 这
流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
JA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
一个) 50
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.5 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
b) 105
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.02 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
c) 125
°
c/w 当
挂载 在 一个 0.003 在
2
垫子 的 2 oz. 铜.
dmos 电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
Symbol 参数 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250
µ
A60 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
c57mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏 电流, 向前 V
GS
= 20 v, v
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏 电流, 反转 V
GS
= -20 v, v
DS
= 0 v -100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
a22.54v
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
c-5.9mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 7 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 7 一个, t
J
=125
°
C
V
GS
= 6 v, i
D
= 6.5 一个
0.022
0.037
0.025
0.028
0.050
0.033
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v 25 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 10 v, i
D
= 7 一个 24 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1107 pF
C
oss
输出 电容 149 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
72 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 10 18 ns
t
r
转变-在 上升 时间 9 18 ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 24 39 ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 30 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 6
10 18 ns
Q
g
总的 门 承担 23 32 nC
Q
gs
门-源 承担 4 nC
Q
gd
门-流 承担
V
DS
= 30 v, i
D
= 7 一个,
V
GS
= 10 v,
6.8 nC
流-源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 2.1 一个
V
SD
流-源 二极管 向前 电压 V
GS
= 0 v, i
S
= 2.1 一个
(便条 2)
0.75 1.2 V
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