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资料编号:331316
 
资料名称:IRFP9240
 
文件大小: 166.13K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-12A)
 
 


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4-75
图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
1.25
0.95
0.85
0.75
-40 0 40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
80 120 160
1.05
1.15
I
D
= 250
µ
一个
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
c, 电容 (nf)
3000
2400
1800
1200
600
0
-1 -2 -5 -10 -2 -5
-10
2
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
I
D
, 流 电流 (一个)
g
fs
, 跨导 (s)
0 -4 -8 -12 -16
2
4
6
8
10
-20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
VDS
-50v
-0.4
-1.0 -1.2 -1.6 -1.8-0.6
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
-0.8 -1.4
-0.1
-1.0
-10
I
SD
, 流 电流 (一个)
-100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0 122436 4860
I
D
= -12a
Q
g(tot),
总的 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 (v)
20
16
12
8
4
0
V
DS
= -160v
V
DS
= -40v
V
DS
= -100v
IRFP9240
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