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资料编号:338979
 
资料名称:IRFZ34N
 
文件大小: 195.35K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFZ34N
图 12c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 12a.
unclamped inductive 测试 电路
图 12b.
unclamped inductive 波形
图 13a.
基本 门 承担 波形
图 13b.
门 承担 测试 电路
10 v
附录 b:
包装 外形 机械的 绘画
附录 一个:
图示 14, 顶峰 二极管 恢复 dv/dt 测试 电路
附录 c:
部分 标记 信息
10 v
0
50
100
150
200
250
25 50 75 100 125 150 175
J
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
一个
St一个rtingT,JunctiTemper一个ture(°C)
V=25V
I
TOP6.5一个
11一个
BOTTOM16一个
DD
D
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