首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:339192
 
资料名称:FZT1151A
 
文件大小: 96.83K
   
说明
 
介绍:
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号FZT1151A的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号FZT1151A的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号FZT1151A的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
pnp 硅 planar 中等 电源
高 增益 晶体管
公布 1 - january 1997
特性
*V
CEO
= -40v
* 3 放大 持续的 电流
* 5 放大 脉冲波 电流
* 低 饱和 电压
* 高 增益
绝对 最大 比率.
参数 标识 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
-45 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
-40 V
发射级-根基 电压 V
EBO
-5 V
持续的 集电级 电流 I
C
-3 一个
根基 电流 I
B
-500 毫安
电源 消耗 在 t
amb
=25°c † P
tot
2.5 W
运行 和 存储 温度
范围
T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
这 电源 这个 能 是 dissipated 假设 这 设备 是 挂载 在 一个 典型 manner 在
一个 p.c.b. 和 铜 equal 至 2 英寸 x 2 英寸
FZT1151A
CC
C
E
B
SOT223
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com