pnp 硅 planar 中等 电源
高 增益 晶体管
公布 1 - january 1997
特性
*V
CEO
= -40v
* 3 放大 持续的 电流
* 5 放大 脉冲波 电流
* 低 饱和 电压
* 高 增益
绝对 最大 比率.
参数 标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
-45 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
-40 V
发射级-根基 电压 V
EBO
-5 V
顶峰 脉冲波 电流 I
CM
-5 一个
持续的 集电级 电流 I
C
-3 一个
根基 电流 I
B
-500 毫安
电源 消耗 在 t
amb
=25°c † P
tot
2.5 W
运行 和 存储 温度
范围
T
j
:t
stg
-55 至 +150 °C
† 这 电源 这个 能 是 dissipated 假设 这 设备 是 挂载 在 一个 典型 manner 在
一个 p.c.b. 和 铜 equal 至 2 英寸 x 2 英寸
FZT1151A
CC
C
E
B
SOT223