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资料编号:339192
资料名称:
FZT1151A
文件大小: 96.83K
说明
:
介绍
:
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FZT1151A
1m
10
1m
100m
10
1m
100m
10
100m
100
10
100m
1m
1m
10
I
C
- 集电级 电流 (一个)
V
ce(sat)
v i
C
0
1.0
V
ce(sat)
- (v)
ic/ib=10
ic/ib=50
ic/ib=100
+25°C
-55°c
h
FE
- 典型 增益
750
+100°C
0
I
C
- 集电级 电流 (一个)
h
FE
v i
C
+25°C
+100°C
V
是(在)
- (v)
1.2
0.6
-55°c
0
I
C
- 集电级 电流 (一个)
V
是(在)
v i
C
+100°C
V
ce(sat)
- (v)
1.0
+25°C
0
I
C
- 集电级 电流 (一个)
V
ce(sat)
v i
C
+100°C
V
是(sat)
- (v)
1.4
+25°C
0
I
C
- 集电级 电流 (一个)
V
是(sat)
v i
C
1s
100ms
I
C
- 集电级 电流 (一个)
10
直流
10m
V
CE
- 集电级 发射级 电压 (v)
safe 运行 范围
10ms
1ms
100us
VCE=2V
+25°C
-55°c
ic/ib=100
VCE=2V
-55°c
ic/ib=100
10m
100m
1
0.2
0.4
0.6
0.8
10m
100m
1
0.2
0.4
0.6
0.8
10m
1
250
500
10m
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10m
1
0.3
0.9
110
100m
1
ic/ib=200
典型 特性
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