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资料编号:342267
 
资料名称:IRG4PH40UD2-EP
 
文件大小: 231.09K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
 
 


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2 www.irf.com
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
1200 V
V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ecs
发射级-至-集电级 损坏 电压
18 V
V
GE
= 0v, i
C
= 1.0a
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压
—0.43—v/°c
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma
2.43 3.1 V
I
C
= 21a V
GE
= 15v
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 2.97
I
C
= 41a
看 图.2, 5
—2.47—
I
C
= 21a, t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 6.0
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
门槛 电压 温度 系数 -11 mv/°c
V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
gfe 向前 跨导
f
16 24 S
V
CE
= 100v, i
C
= 21a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 250 µA
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v
5000
V
GE
= 0v, v
CE
= 1200v, t
J
= 150°c
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 3.4 3.8 V
I
F
= 10a看 图.13
—3.33.7
I
F
= 10a,T
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ±100 nA
V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 100 150
I
C
= 21a
Q
ge
门-至-发射级 承担 (转变-在) 18 24 nC
V
CC
= 400v 看 图.8
Q
gc
门-至-集电级 承担 (转变-在) 34 50
V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 22
t
r
上升 时间 26 ns
I
C
= 21a, v
CC
= 800v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 100 140
V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
f
下降 时间 200 300 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失 1950 二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失 1710 µJ 看 图. 9, 10, 11, 18
E
tot
总的 切换 丧失 3660 4490
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 21
T
J
= 150°c, 看 图. 9, 10, 11, 18
t
r
上升 时间 25 ns
I
C
= 21a, v
CC
= 800v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 220
V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
f
下降 时间 380 活力 losses 包含 "tail" 和
E
TS
总的 切换 丧失 6220 µJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感 13 nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 2100
V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 99 pF
V
CC
= 30v, 看 图.7
C
res
反转 转移 电容 12 f = 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 50 76 ns
T
J
=25°c 看 图
—72110
T
J
=125°c 14 I
F
= 8.0a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 4.4 7.0 一个
T
J
=25°c 看 图
—5.98.8
T
J
=125°c 15 V
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 130 200 nC
T
J
=25°c 看 图
250 380
T
J
=125°c 16
di/dt = 200a/µ
s
di
(rec)m
/dt
二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 210 一个/µs
T
J
=25°c 看 图
在 t
b
—180—
T
J
=125°c 17
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