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资料编号:342284
 
资料名称:IRG4PC50F
 
文件大小: 146.41K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
 
 


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
www.irf.com 3
图. 1
- 典型 加载 电流 vs. 频率
(为 正方形的 波, i=i
RMS
的 基本的; 为 triangular 波, i=i
PK
)
图. 2
- 典型 输出 特性
图. 3
- 典型 转移 特性
0
20
40
60
80
100
0.1 1 10 100
f, frequency(kHz)
加载 电流 (一个)
一个
60%的 评估
电压
完美的 二极管
正方形的 波:
为 两个都:
职责 循环: 50%
t = 125
°
C
t = 90
°
C
门 驱动 作 指定
下沉
J
电源 消耗 = 40w
triangular 波:
clamp 电压:
80% 的 评估
1
10
100
1000
0.1 1 10
CE
C
i , collector-至-emitter 电流 (一个)
V, collector-至-em itter voltag e(V )
t = 150
°
C
t = 25
°
C
J
J
V=15V
20
µ s 脉冲波 w IDTH
GE
一个
1
10
100
1000
5 6 7 8 9 101112
C
i , collecr-至-emitter current (一个)
GE
t = 25
°
C
t = 150
°
C
J
J
v , gate-至-em itter voltage(V )
一个
V=50V
5µs 脉冲波 w IDTH
CC
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