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资料编号:367962
 
资料名称:HAT2024R
 
文件大小: 54.4K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2024R
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0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
0.2
0.05
0.1
0.02
1
0.01
0.2 0.5 1 2 5 10 20
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
–40 0 40 80 120 160
0
0.2 0.5
1
2 5 10 20
5
2
0.5
1
0.2
10
0.1
20
25 °c
tc = –25 °c
75 °c
DS
v = 10 v
脉冲波 测试
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
v (v)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
W
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
情况 温度 tc (°c)
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
W
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
向前 转移 admittance |y | (s)
fs
向前 转移 admittance vs.
流 电流
流 电流 i (一个)
D
脉冲波 测试
脉冲波 测试
脉冲波 测试
i = 5 一个
D
1 一个
2 一个
i = 5 一个
D
1 一个, 2 一个, 5 一个
v = 4 v
GS
10 v
2 一个
1 一个
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