HEF40098BT_集成电路资料查询网

january 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
3-状态 十六进制 反相的 缓存区
HEF40098B
缓存区
直流 特性
V
SS
=0V
HEF
V
DD
V
V
OH
V
V
OL
V
标识
T
amb
(
°
c)
−
40
+
25
+
85
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
输出 电流 5 4,6 1,2 1,0 0,8 毫安
高 10 9,5
−
I
OH
3,8 3,2 2,5 毫安
15 13,5 12,0 10,0 8,0 毫安
高 5 2,5
−
I
OH
3,8 3,2 2,5 毫安
输出 电流 4,75 0,4 3,5 2,9 2,3 毫安
低 10 0,5 I
OL
12,0 10,0 8,0 毫安
15 1,5 24,0 20,0 16,0 毫安
HEC
V
DD
V
V
OH
V
V
OL
V
标识
T
amb
(
°
c)
−
55
+
25
+
125
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
输出 电流 5 4,6 1,25 1,0 0,6 毫安
高 10 9,5
−
I
OH
4,0 3,2 2,1 毫安
15 12,5 12,5 10,0 6,7 毫安
高 5 2,5
−
I
OH
4,0 3,2 2,1 毫安
输出 电流 4,75 0,4 3,6 2,9 1,9 毫安
低 10 0,5 I
OL
12,5 10,0 6,7 毫安
15 1,5 25,0 20,0 13,0 毫安
图.3  逻辑 图解.

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january 1995 3 飞利浦半导体产品规格 3-状态十六进制反相的缓存区 HEF40098B 缓存区直流特性 V SS =0V HEF V DD V V OH V V OL V 标识 T amb ( ° c) − 40 + 25 + 85 最小值最大值最小值最大值最小值最大值输出电流 5 4,6 1,2 1,0 0,8 毫安高 10 9,5 − I OH 3,8 3,2 2,5 毫安 15 13,5 12,0 10,0 8,0 毫安高 5 2,5 − I OH 3,8 3,2 2,5 毫安输出电流 4,75 0,4 3,5 2,9 2,3 毫安低 10 0,5 I OL 12,0 10,0 8,0 毫安 15 1,5 24,0 20,0 16,0 毫安 HEC V DD V V OH V V OL V 标识 T amb ( ° c) − 55 + 25 + 125 最小值最大值最小值最大值最小值最大值输出电流 5 4,6 1,25 1,0 0,6 毫安高 10 9,5 − I OH 4,0 3,2 2,1 毫安 15 12,5 12,5 10,0 6,7 毫安高 5 2,5 − I OH 4,0 3,2 2,1 毫安输出电流 4,75 0,4 3,6 2,9 1,9 毫安低 10 0,5 I OL 12,5 10,0 6,7 毫安 15 1,5 25,0 20,0 13,0 毫安图.3 逻辑图解.

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