4-14
这 r
ds(在)
是 不同的 为 这 二 equations 在之上 甚至 如果
这 一样 设备 是 使用 为 两个都. 这个 是 因为 这 门
驱动 应用 至 这 upper 场效应晶体管 是 不同的 比 这
更小的 场效应晶体管. 图示 13 显示 这 门 驱动 在哪里 这
upper 场效应晶体管’s 门-至-源 电压 是 大概
V
CC
较少 这 输入 供应. 为 +5v 主要的 电源 和 +12vdc
为 这 偏差, 这 门-至-源 电压 的 Q1 是 7v. 这 更小的
门 驱动 电压 是 +12vdc. 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管 是 一个
好的 选择 为 Q1 和 一个 逻辑-水平的 场效应晶体管 能 是 使用 为
q2 如果 它的 绝对 门-至-源 电压 比率 超过 这
最大 电压 应用 至 v
CC
.
整流器 cr1 是 一个 clamp 那 catches 这 负的 inductor
摆动 在 这 dead 时间 在 这 转变 止 的 这 更小的
场效应晶体管 和 这 转变 在 的 这 upper 场效应晶体管. 这 二极管
必须 是 一个 肖特基 类型 至 阻止 这 lossy parasitic
场效应晶体管 身体 二极管 从 组织. 它 是 可接受的 至 omit
这 二极管 和 let 这 身体 二极管 的 这 更小的 场效应晶体管 clamp
这 负的 inductor 摆动, 但是 效率 可以 漏出, 在 一些
具体情况, 一个 或者 二 百分比 作 一个 结果. 这 二极管's 评估
反转 损坏 电压 必须 是 更好 比 这
最大 输入 电压.
pwm2 场效应晶体管 和 肖特基 选择
这 电源 消耗 在 pwm2 转换器 是 类似的 至
pwm1 除了 那 这 电源 losses 的 这 更小的 设备 是
带去 放置 在 一个 肖特基 instead 的 一个 场效应晶体管. 这 电源
losses 的 PWM2 转换器 是 distributed 在 这 upper
场效应晶体管 和 这 肖特基. 这 下列的 equations
describe 一个 approximation 的 这个 分发 和 假设 一个
直线的 电压-电流 切换 transitions.
为 这 全部地 在 选项 (选择 管脚 高) 选择 的 这
场效应晶体管 是 为基础 在 这 电压 budget 有 至 这个
调整器. 自从 这 场效应晶体管 是 运作 作 一个 转变, 它的
自己的 r
ds(在)
是 bound 用 这 最大 电压 漏出
容许的 横过 它 在 这 最大 输出 电流.
在哪里
r
ds(在)最大值
- 最大 允许 场效应晶体管 rds(在)
dcr - 输出 inductor 直流 阻抗
在 产品 在哪里 两个都 输出 settings 可以 是 engaged
(两个都 1.5v 和 全部地 在 场效应晶体管) 它 是 推荐 这
场效应晶体管 满足 criteria 概述 为 这 pwm 运作 作
好 作 这 全部地 在 运作.
直线的 控制者 晶体管 选择
这 hip6020a 直线的 控制者 是 兼容 和 两个都
NPN 双极 作 好 作 n-频道 场效应晶体管 晶体管. 这
主要的 criteria 为 选择 的 通过 晶体管 为 这 直线的
regulators 是 包装 选择 为 efficient 除去 的 热温.
这 电源 dissipated 在 一个 直线的 调整器 是
选择 一个 包装 和 散热器 那 维持 这 接合面
温度 在下 这 最大 desired 温度 和
这 最大 预期的 包围的 温度.
当 selecting 双极 npn 晶体管 为 使用 和 这
直线的 控制者, insure 这 电流 增益 在 这 给
运行 v
CE
是 sufficiently 大 至 提供 这 desired
输出 加载 电流 当 这 根基 是 喂养 和 这 最小
驱动器 输出 电流.
P
UPPER
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
输出
×
V
在
------------------------------------------------------------
I
O
V
在
×
t
SW
×
F
S
×
2
----------------------------------------------------+=
P
更小的
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
在
V
输出
–
()×
V
在
---------------------------------------------------------------------------------=
图示 10. upper 门 驱动 - 直接 v
CC
驱动
+12V
PGND
HIP6020A
地
LGATE
UGATE
阶段
VCC
+5v 或者 较少
便条:
便条:
V
GS
≈
V
CC
Q1
Q2
+
-
V
GS
≈
V
CC
-5v
CR1
P
MOS
I
O
2
r
DS 在
()
×
V
输出
×
V
在
------------------------------------------------------------
I
O
V
在
×
t
SW
×
F
S
×
2
----------------------------------------------------+=
P
SCH
I
O
V
f
×
V
在
V
输出
–
()×
V
在
-------------------------------------------------------------=
r
DS 在
()
最大值
V
在
DCR I
输出
⋅()
–
I
输出
----------------------------------------------------=
P
直线的
I
O
V
在
V
输出
–
()×
=
HIP6020A
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