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软-开始 电路
软-开始 在 睡眠 states (s3, s4/s5)
这 5VSB POR 函数 initiates 这 软-开始 sequence. 一个
内部的 10
µ
一个 电流 源 charges 一个 外部 电容
至 5v. 这 错误 amplifiers 涉及 输入 是 clamped 至 一个
水平的 均衡的 至 这 ss (软-开始) 管脚 电压. 作 这
ss 管脚 电压 slews 从 关于 1.25v 至 2.5v, 这 输入
clamp 准许 一个 迅速 和 控制 输出 电压 上升.
图示 9 显示 这 软-开始 sequence 为 这 典型
应用 开始-向上 在 一个 睡眠 状态 和 所有 输出 电压
使能. 在 时间 t0 5v
SB
(偏差) 是 应用 至 这 电路. 在
时间 t1, 5v
SB
surpasses por 水平的, 和 一个 内部的 快
承担 电路 quickly raises 这 ss 电容 电压 至
大概 1v. 在 这个 要点, 这 10
µ
一个 电流 源
持续 这 charging 向上 至 t2, 在哪里 一个 电压 的 1.25v
(典型地) 是 reached 和 一个 内部的 clamp 限制 更远
charging. 夹紧 的 这 软-开始 电压 (t2 至 t3
间隔) 应当 仅有的 是 noticed 和 电容 小 比
0.1
µ
f; 软-开始 电容 的 0.1
µ
f 和 在之上 应当
呈现 一个 软-开始 ramp void 的 这个 plateau. 在 时间 t3,
3ms (典型地) past 这 5V
SB
POR (t1), 这 记忆 输出
电压 选择 是 latched 在 和 这 charging 的 这 软-
开始 电容 重新开始, 使用 这 10
µ
一个 电流 源. 在
这个 要点, 这 错误 amplifiers’ 涉及 输入 是 开始
它们的 transitions, 造成 这 输出 电压 至 ramp 向上
按比例地. 这 ramping 持续 直到 时间 t4 当 所有
这 电压 reach 这 设置 值. 在 时间 t5, 当 这 软-
开始 电容 值 reaches 大概 2.8v, 这 下面-
电压 monitoring 电路 是 使活动 和 这 软-开始
电容 是 quickly 释放 向下 至 这 值 attained 在
时间 t2 (大概 1.25v).
图示 6. 3V
双
和 5V
双
定时 图解 为
en3vdl = 0, en5vdl = 1
图示 7. 3V
双
和 5V
双
定时 图解 为
en3vdl = 0, en5vdl = 0
图示 8. 2.5/3.3v
MEM
定时 图解
5VSB
12V
S3
S5
5VDLSB
DLA
3V3DLSB
3V3DL
5VDL
5VSB
12V
S3
S5
5VDLSB
DLA
3V3DLSB
3V3DL
5VDL
5VSB
12V
S3
S5
DRV2
VSEN2
VSEN2
内部的
设备
图示 9. 软-开始 间隔 在 一个 睡眠 状态 (所有
输出 使能)
0V
0V
时间
软-开始
(1v/div)
输出
(1v/div)
电压
V
OUT1
(3.3v
双
)
V
OUT2
(2.5v
MEM
)
V
OUT3
(5v
双
)
T1 T2 T3T0
5VSB
(1v/div)
uv 发现 使能
(逻辑 水平的)
T5
T4
HIP6501A
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