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软-开始 在 起作用的 states (s0, s1)
如果 两个都 s3 和 s5 是 逻辑 高 在 这 时间 这 5vsb 是
应用, 这 HIP6501A 将 假设 一个 起作用的 状态 和 保持
止 这 控制 外部 晶体管 直到 关于 50ms 之后
这 atx’s 12v 输出 (sensed 在 这 12v 管脚) 超过 这
设置 门槛 (典型地 10.8v). 这个 timeout 特性 是
需要 在 顺序 至 确保 这 主要的 atx 输出 是
stabilized. 这 timeout 也 assures 平整的 transitions 从
睡眠 在 起作用的 当 睡眠 states 是 正在 supported.
在 睡眠 至 起作用的 状态 transitions 从 情况
在哪里 这 输出 是 initially 0v (此类 作 s4/s5 至 s0
转变 和
en3vdl = 1 和 en5vdl = 0, 或者 简单的
电源-向上 sequence 直接地 在 起作用的 状态), 这 3v
双
和 5v
双
输出 go 通过 一个 quasi 软-开始 用 正在
牵引的 高 通过 这 身体 二极管 的 这 n-频道
mosfets 连接 在 这些 输出 和 这 3.3v
和 5V ATX 输出, 各自. 图示 10 显示 这个 开始-
向上 scenario.
5V
SB
是 already 呈现 当 这 主要的 atx 输出 是
转变 在 在 时间 t0. similarly, 这 软-开始 电容 有
already 被 charged 向上 至 1.25v 和 这 clamp 是 起作用的,
awaiting 为 这 12v por 计时器 至 expire. 作 一个 结果 的
3.3v
在
和 5v
在
ramping 向上, 这 3.3v
双
和 5v
双
输出 电容 承担 向上 通过 这 身体 二极管 的 q3
和 q5, 各自 (看 图示 3). 在 时间 t1, 这 12V ATX
输出 超过 这 hip6501a’s 12v 下面-电压
门槛, 和 这 内部的 50ms (典型) 计时器 是 initiated. 在
t2 这 时间-输出 initiates 一个 软-开始, 和 这 记忆 输出
是 ramped-向上, reaching 规章制度 限制 在 时间 t3.
同时发生的 和 这 记忆 电压 ramp-向上, 这 dla
管脚 是 牵引的 高 (至 12v), turning 在 q3 和 q5, 和
bringing 这 3.3v
双
和 5v
双
输出 在 规章制度 在
时间 t2. 在 时间 t4, 当 这 软-开始 电压 reaches
大概 2.8v, 这 下面-电压 monitoring 电路 是
使能 和 这 软-开始 电容 是 quickly 释放 至
大概 2.45v.
requests 至 go 在 一个 睡眠 状态 在 一个 起作用的 状态 软-
开始 ramp-向上 结果 在 一个 碎片 重置, followed 用 一个 新 软-
开始 sequence 在 这 desired 状态.
故障 保护
所有 这 输出 是 监控 相反 下面-电压 events.
一个 severe 在-电流 造成 用 一个 failed 加载 在 任何 的 这
输出, 将, 在 转变, 导致 那 specific 输出 至
suddenly 漏出. 如果 任何 的 这 输出 电压 漏出 在下 69%
的 它们的 设置 值, 此类 事件 是 reported 用 having 这
故障/msel 管脚 牵引的 至 5v. additionally, 这 2.5/3.3v
记忆 调整器 是 内部 电流 限制 当 在 一个 睡眠
状态. Exceeding 这 最大 电流 比率 的 这个 输出 在
一个 睡眠 状态 能 含铅的 至 输出 电压 drooping. 如果
过度的, 这个 droop 能 ultimately trip 这 下面-电压
探测器 和 send 一个 故障 信号 至 这 计算机 系统.
不管怎样, 一个 故障 情况 将 仅有的 设置 止 这 故障 flag,
和 它 将 不 shut 止 或者 获得 止 任何 部分 的 这 电路. 如果
关闭 或者 获得 止 的 这 电路 是 desired, 这个 能 是
达到 用 externally 拉 或者 闭锁 这 ss 管脚 低.
拉 这 SS 管脚 低 将 也 强迫 这 故障 管脚 至 go 低.
下面-电压 感觉到 是 无能 在 所有 无能 输出
和 在 软-开始 ramp-向上 间隔. SS 电压 reaching
这 2.8v 门槛 信号 触发 的 这 下面-电压
监控.
另一 情况 那 可以 设置 止 这 故障 flag 是 碎片
在-温度. 如果 这 hip6501a reaches 一个 内部的
温度 的 125
o
c (最小), 这 故障 flag 是 设置
(故障/msel 牵引的 高), 但是 这 碎片 持续 至 运作
直到 这 温度 reaches 150
o
c (典型), 当
unconditional latched 关闭 的 所有 输出 takes 放置.
这 热的 获得 能 是 重置 仅有的 用 cycling 这 5v
SB
止,
和 然后 在.
输出 电压
这 输出 电压 是 内部 设置 和 做 不 需要 任何
外部 组件. 选择 的 这 记忆 电压 是
完毕 用 意思 的 一个 外部 电阻 连接 在
这 故障/msel 管脚 和 地面. 一个 内部的 40
µ
一个 (典型)
电流 源 creates 一个 电压 漏出 横过 这个 电阻.
在 每 5vsb trip 在之上 por 水平的, 这个 电压 是
对照的 和 一个 内部的 涉及 (200mv 典型地).
为基础 在 这个 comparison, 这 输出 电压 是 设置 在 也
2.5v (r
SEL
= 1k
Ω
), 或者 3.3v (r
SEL
= 10k
Ω
). 它 是 非常
重要的 那 非 电容 是 连接 至 这 故障/msel
管脚; 这 存在 的 一个 电容的 元素 在 这个 管脚 能 含铅的
至 false 记忆 电压 选择. 看 图示 11 为 详细信息.
图示 10. 软-开始 间隔 在 一个 起作用的 状态
0V
0V
时间
软-开始
(1v/div)
输出
(1v/div)
电压
T1 T2T0
输入 电压
(2v/div)
T4
T3
+5V
在
+12V
在
dla 管脚
+5VSB
V
OUT2
(2.5v
MEM
)
V
OUT1
(3.3v
双
)
V
OUT3
(5v
双
)
(2v/div)
+3.3v
在
HIP6501A
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