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资料编号:38458
 
资料名称:2N7000KL-TR1
 
文件大小: 73.25K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2n7000kl/bs170kl
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2
文档号码: 72705
s-40247—rev.一个, 16-二月-04
规格
一个
(t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 10
一个
60
V
门-门槛 voltage V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
1 2.0 2.5
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
10 v
1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
10
一个
状态 流 电流
b
I
d( )
V
GS
= 10 v, v
DS
= 7.5 v 0.8
一个在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 10 v 0.5
一个
源 在 阻抗
b
r
ds( )
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 一个 1.1 2
流-源 在-阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.2 一个 1.6 4
向前 transconductance
b
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.5 一个 550 mS
二极管 向前电压 V
SD
I
S
= 0.3 一个, v
GS
= 0 v 0.87 1.3 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
0.4 0.6
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 10 v, v
GS
= 4.5 v
I
D
0.25 一个
0.11
nC
门-流 承担 Q
gd
I
D
0.25 一个
0.15
门 阻抗 R
g
173
转变 在 时间
t
d(在)
3.8 10
转变-在 时间
t
r
V
DD
= 30 v, r
L
= 150
I
D
02 一个 v
GEN
= 10v
4.8 15
ns
转变-止 时间
t
d(止)
I
D
0.2 一个,V
GEN
=10V
R
g
= 10
12.8 20
ns
转变-止 时间
t
f
g
9.6 15
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
012345
0123456
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
= 10, 7 v
3 v
5 v
4 v
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
T
J
=
55
C
125
C
25
C
6 v
1.2
0.9
0.6
0.3
0
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