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资料编号:39471
资料名称:
2SK1304
文件大小: 50.76K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1304
4
120
80
40
0
50
100
150
情况 温度 t
C
(°c)
频道 消耗 pch (w)
电源 vs. 温度 减额
500
100
10
0.5
10
100
1,000
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
200
5
1
ta = 25°c
10
µ
s
100
µ
s
1 ms
直流 运作 (t
C
= 25°c)
pw = 10 ms (1 shot)
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds (在)
20
2
1.0
3
30
300
50
100
820
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 输出 特性
80
20
412160
40
60
4 v
V
GS
= 2.5 v
脉冲波 测试
5 v
10 v
7 v
3.5 v
3 v
50
25
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 转移 特性
40
10
134
–25°C
0
20
30
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
75°C
T
C
= 25°c
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