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资料编号:39501
 
资料名称:2SK1166
 
文件大小: 50.1K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2sk1165, 2sk1166
4
120
80
40
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(°c)
频道 消耗 pch (w)
电源 vs. 温度 减额
100
10
1.0
0.1
10 100 1,000
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
30
3
0.3
1 3 30 300
ta = 25°c
2SK1166
2SK1165
10
µ
s
100
µ
s
1 ms
直流 运作 (t
C
= 25°c)
pw = 10 ms (1 shot)
运作 在 这个 范围
是 限制 用 r
ds(在)
20
20 50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 输出 特性
16
4
10 30 400
8
12
5.0 v
4.5 v
V
GS
= 4 v
5.5 v
6 v
10 v
8 v
20
410
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 转移 特性
16
4
268
–25°C
0
8
12
V
DS
= 20 v
脉冲波 测试
75°C
T
C
= 25°c
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