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手机版
资料编号:39501
资料名称:
2SK1166
文件大小: 50.1K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1165, 2sk1166
5
10
820
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 至 源 饱和 电压 v
ds (在)
(v)
8
2
412160
4
6
I
D
= 5 一个
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
10 一个
脉冲波 测试
15 一个
5
250
流 电流 i
D
(一个)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
2
0.1
1.0
5
200.5
0.5
1.0
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
15 v
0.2
0.05
10
1.0
40
160
情况 温度 t
C
(°c)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
R
D
s (在)
(
Ω
)
0.8
0.2
0
80
120
0
0.4
0.6
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
15 一个
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
10 一个
I
D
= 5 一个
–40
50
1.0
20
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
yfs
(s)
20
2
0.5
2
10
0.5
5
10
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
–25°C
V
DS
= 20 v
脉冲波 测试
0.2
1.0
5
T
C
= 25°c
75°C
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