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资料编号:39501
 
资料名称:2SK1166
 
文件大小: 50.1K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sk1165, 2sk1166
6
5,000
1.0 20
反转 流 电流 i
DR
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
2,000
200
0.5 2 10
50
500
1,000
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
0.2
100
5
di/dt = 100 一个/
µ
s, ta = 25°c
V
GS
= 0 v
脉冲波 测试
10,000
20 50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
电容 c (pf)
100
10 30 40
10
1,000
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
V
GS
= 0
f = 1 mhz
0
Ciss
Coss
Crss
500
40 100
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
动态 输入 特性
400
100
20 60 800
200
300
V
DS
100 v
20
16
4
0
8
12
V
DD
= 100 v
250 v
400 v
I
D
= 12 一个
250 v
V
DD
= 400 v
V
GS
门 至 源 电压 v
GS
(v)
250
流 电流 i
D
(一个)
切换 时间 t (ns)
500
50
1.0 5 20
10
100
200
V
GS
= 10 v v
DD
= 30 v
pw = 2
µ
s, 职责 < 1%
0.5
20
10
切换 特性
t
d (止)
t
r
t
d (在)
t
f
5
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