SI9936DY_集成电路资料查询网

首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料

您现在的位置：首页 > IC英文资料库

进入手机版


资料编号：395396

资料名称：SI9936DY

文件大小： 240.97K

说明：


介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第1页

1

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第2页

2

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第3页

3

4

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第5页

5

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第6页

6

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第7页

7

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第8页

8

浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第9页

9

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

飞利浦半导体 Si9936DY n-频道增强模式 ﬁeld-效应晶体管产品数据 rev. 01 — 16 july 2001 4 的 13 9397 750 08413 © 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有权利保留. 7. 热的特性 7.1 瞬时热的阻抗表格 4: 热的特性标识参数情况值单位 R th(j-一个) 热的阻抗从接合面至包围的挂载在一个打印电路板; t p ≤ 10 s; 最小 footprint; 图示 4 62.5 k/w T amb =25 ° C 图 4. 瞬时热的阻抗从接合面至包围的作一个函数的脉冲波持续时间. 03af67 10 -1 1 10 10 2 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 t p (s) Z th(j-amb) (k/w) 单独的脉冲波 δ = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 t p t p T P t T δ =

资料评论区:

点击

回复

标题

作者

最后回复时间

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

关于我们 | 联系我们

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com