首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:395396
 
资料名称:SI9936DY
 
文件大小: 240.97K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第5页
5

6
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号SI9936DY的Datasheet PDF文件第10页
10
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体
Si9936DY
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 16 july 2001 6 的 13
9397 750 08413
© 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
c 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03af69
0
10
20
30
40
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
V
DS
(v)
I
D
(一个)
3.5 v
5 v
4.5 v
4 v
10 v
3 v
V
gs =
2 v
2.5 v
6 v
T
j
= 25 ºc
03af71
0
10
20
30
40
01234567
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 150 ºc
25 ºc
03af70
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0 10203040
I
D
(一个)
R
DSon
(
)
T
j
= 25 ºc
V
GS
= 4.5 v
5 v
6 v
10 v
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60 0 60 120 180
T
j
(ºc)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
----------------------------
=
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com