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资料编号:395396
 
资料名称:SI9936DY
 
文件大小: 240.97K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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飞利浦 半导体
Si9936DY
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 01 — 16 july 2001 7 的 13
9397 750 08413
© 飞利浦 electronics n.v. 2001. 所有 权利 保留.
I
D
= 250
µ
一个; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
=0v;f=1mhz
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances 作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型 值.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60 0 60 120 180
T
j
(
o
c)
V
gs(th)
(v)
最大值
典型值
最小值
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
V
GS
(v)
I
D
(一个)
maxtypmin
03af73
10
2
10
3
10
4
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
iss
C
oss
C
rss
(pf)
C
iss
C
oss
C
rss
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