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资料编号:407495
 
资料名称:IRF120
 
文件大小: 68.22K
   
说明
 
介绍:
8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
 
 


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2-2
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 单位
流 至 源 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
DS
100 80 100 80 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω)
(便条 1) . . . . . . . V
DGR
100 80 100 80 V
持续的 流 电流. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
T
C
= 100
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
9.2
6.5
9.2
6.5
8.0
5.6
8.0
5.6
一个
一个
搏动 流 电流 (便条 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
37 37 32 32 一个
门 至 源 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GS
±
20
±
20
±
20
±
20 V
最大 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P
D
60 60 60 60 W
直线的 减额 因素 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4 0.4 0.4 0.4 w/
o
C
单独的 脉冲波 avalanche 活力 比率 (便条 4) . . . . . . .E
36 36 36 36 mJ
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 175 -55 至 175 -55 至 175 -55 至 175
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . T
pkg
300
260
300
260
300
260
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 150
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v
(图示 10)
irf120, irf122 100 - - V
irf121, irf123 80 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个 2.0 - 4.0 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v - - 25
µ
一个
V
DS
在-状态 流 电流 (便条 2) I
d(在)
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
, v
GS
= 10v
irf120, irf121 9.2 - - 一个
irf122, irf123 8.0 - - 一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= 5.6a, v
GS
= 10v
(图示 8, 9)
irf120, irf121 - 0.25 0.27
irf122, irf123 0.27 0.36
向前 跨导 (便条 2) g
fs
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
, i
D
= 5.6a
(图示 12)
2.9 4.0 - S
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 50v, i
D
9.2a, r
GS
= 18
, r
L
= 5.1
(计算数量 17, 18) 场效应晶体管 切换 时间 是
essentially 独立 的 运行
温度
- 8.8 13 ns
上升 时间 t
r
-3045ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-1929ns
下降 时间 t
f
-2030ns
总的 门 承担
(门 至 源 + 门 至 流)
Q
g(tot)
V
GS
= 10v, i
D
= 5.6a, v
DS
= 0.8 x 评估 bv
dss,
Ig
(ref)
= 1.5ma (计算数量 14, 19, 20)
门 承担 是 essentially 独立 的
运行 温度
- 9.7 15 nC
门 至 源 承担 Q
gs
- 2.2 - nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
- 2.3 - nC
irf120, irf121, irf122, irf123
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