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资料编号:407495
 
资料名称:IRF120
 
文件大小: 68.22K
   
说明
 
介绍:
8.0A and 9.2A, 80V and 100V, 0.27 and 0.36 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2-3
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
(图示 11)
- 350 - pF
输出 电容 C
OSS
- 130 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-36- pF
内部的 流 电感 L
D
量过的 在 这
联系 screw 在 这
flange 那 是 closer 至
源 和 门 管脚 和
这 中心 的 消逝
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
内部的 设备
Inductances
- 5.0 - nH
内部的 源 电感 L
S
量过的 从 这
源 含铅的, 6mm
(0.25in) 从 这 flange
和 这 源 使牢固结合
垫子
- 12.5 - nH
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 2.5
o
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
自由 空气 运作 - - 30
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 源 至 流 电流 I
SD
修改 场效应晶体管
标识 表明 这
integral 反转 p-n
接合面 整流器
- - 8.0 一个
脉冲波 源 至 流 电流
(便条 3)
I
SDM
- - 32 一个
源 至 流 二极管 电压 (便条 2) V
SD
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 9.2a, v
GS
= 0v (图示 13) - - 2.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 9.2a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s 55 110 240 ns
反转 恢复 承担 Q
RR
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 9.2a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s 0.25 0.53 1.10
µ
C
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3).
4. V
DD
= 25v, 开始 t
J
= 25
o
c, l = 640
µ
h, r
G
= 25
Ω,
顶峰 i
= 9.2a (计算数量 15, 16).
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
L
S
L
D
G
D
S
D
G
S
irf120, irf121, irf122, irf123
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