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资料编号:407516
 
资料名称:IRG4BC20UD
 
文件大小: 236.9K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4BC20UD
4 www.irf.com
图. 4
- 最大 集电级 电流 vs.
情况 温度
图. 6
- 最大 igbt 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
CE
v , collector-至-emitter voltage (v)
V= 15V
80µs 脉冲波 w IDTH
GE
一个
t , 接合面 temperature(
°
C )
J
i = 6.5a
i = 13A
i = 3.3一个
C
C
C
0
2
4
6
8
10
12
14
25 50 75 100 125 150
MaximumDCCollector current (一个)
t , 情况 温度 (
°
c)
C
v = 15v
GE
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
1
thJC
d = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLEPULSE
(热的 回馈)
热的 回馈 (z )
P
t
2
1
t
DM
注释:
1. duty 因素 d= t / t
2. p eak t = px z+ t
12
J
DM
thJC
C
图. 5
- 典型 集电级-至-发射级 电压
vs. 接合面 温度
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