IRG4BC20UD
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图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
CE
c, 电容 (pf)
V, collec至r-至-em itter voltag e (v)
一个
V=0V, f =1MHz
C=C+ c, cSHORTE D
C=C
C=C+ c
GE
iesgegcce
resgc
oescegc
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25 30
GE
V, g 一个te-至-emitter voltage (v )
g
Q , total g 一个teCh一个 rg e (nc)
一个
v = 400v
i =6.5a
CE
C
0.1
1
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
总的 switching losses (mj)
一个
t , 接合面 温度(
°
C )
J
i =13一个
i =6.5一个
i = 3.3一个
R= 50
Ω
V=15V
v = 480v
C
C
C
G
GE
CC
0.29
0.30
0.31
0.32
0 102030405060
G
总的 切换 losses (mj)
一个
v = 480v
V=15V
t =25
°
C
i = 6.5a
R, gate resistance(
Ω
)
CC
GE
J
C