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资料编号:413138
 
资料名称:IXFK170N10
 
文件大小: 145.06K
   
说明
 
介绍:
HiPerFET Power MOSFET
 
 


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4 - 4
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V
DS
- 伏特
110100
I
D
- amperes
1
10
100
脉冲波 宽度 - 秒
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
r(th)
JC
- k/w
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
V
DS
- 伏特
0 10203040
电容 - pf
0
3000
6000
9000
12000
15000
18000
V
SD
- 伏特
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
I
D
- amperes
0
50
100
150
200
250
300
门 承担 - nc
0 100 200 300 400 500 600
V
GS
- 伏特
0
2
4
6
8
10
12
Crss
Coss
Ciss
vds= 50v
I
D
= 85a
I
G
=10mA
f = 1mhz
170
T
C
= 25
O
C
10
ms
1 ms
100
ms
直流
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
IXFK170N10 IXFN170N10
图示 7. 门 承担 图示 8.电容 曲线
图示 9. 向前 电压 漏出 的 这 intrinsic 二极管
图示 11. 瞬时 热的 阻抗
figure10. 向前 偏差 safe 运行 范围
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