k6r1008c1c-c/c-l, k6r1008c1c-i/c-p
cmos sram
初步的
修订 3.0
- 2 -
九月 2001
初步的
128k x 8 位 高-速 cmos 静态的 内存(5.0v 运行)
一般 描述特性
•快 进入 时间 10,12,15ns(最大值.)
•低 电源 消耗
备用物品 (ttl) : 30毫安(最大值.)
(cmos) : 5毫安(最大值.)
0.5毫安(最大值.) l-ver. 仅有的
运行 k6r1008c1c-10 : 80毫安(最大值.)
k6r1008c1c-12 : 75毫安(最大值.)
k6r1008c1c-15 : 73毫安(最大值.)
•单独的 5.0v
±
10% 电源 供应
•ttl 兼容 输入 和 输出
•i/o 兼容 和 3.3v 设备
•全部地 静态的 运作
- 非 时钟 或者 refresh 必需的
•三 状态 输出
•2v 最小 数据 保持: l-ver. 仅有的
•中心 电源/地面 管脚 配置
•标准 管脚 配置
k6r1008c1c-j : 32-soj-400
k6r1008c1c-t : 32-tsop2-400cf
k6r1008c1c-c10/c12/c15 商业的 温度
k6r1008c1c-i10/i12/i15 工业的 温度
订货 信息
clk gen.
i/o1~i/o8
CS
我们
OE
函数的 块 图解
RowSelect
数据
内容.
column 选择
CLK
gen.
前-承担 电路
记忆 排列
512 rows
256x8 columns
i/o 电路
管脚 函数
管脚 名字 管脚 函数
一个0- 一个16 地址 输入
我们 写 使能
CS 碎片 选择
OE 输出 使能
i/o1~ i/o8 数据 输入/输出
VCC 电源(+5.0v)
VSS 地面
n.c 非 连接
这 k6r1008c1c 是 一个 1,048,576-位 高-速 静态的 ran-
dom 进入 记忆 有组织的 作 131,072 words 用 8 位.
这 k6r1008c1c 使用 8 一般 输入 和 输出 线条 和
有 一个 输出 使能 管脚 这个 运作 faster 比 地址
进入 时间 在 读 循环. 这 设备 是 fabricated 使用 sam-
SUNG
′
s 先进的 cmos 处理 和 设计 为 高-
速 电路 技术. 它 是 特别 好 suited 为 使用 在
高-密度 高-速 系统 产品. 这
k6r1008c1c 是 packaged 在 一个 400mil 32-管脚 塑料 soj 或者
tsop2 向前.
管脚 配置
(顶 视图)
soj/
TSOP2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
一个16
一个15
一个14
一个13
OE
i/o8
i/o7
Vss
Vcc
i/o6
i/o5
一个12
一个11
一个10
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一个0
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一个3
CS
i/o1
i/o2
Vcc
Vss
i/o3
i/o4
我们
一个4
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