cmos sramk6x1008t2d 家族
修订 1.0
九月 2003
5
交流 特性
(vCC=2.7~3.6v, 商业的 产品:t一个=0 至 70
°
c, 工业的 产品:t一个=-40 至 85
°
c, automotive 产品:t一个=-40 至 125
°
C)
1. 电压 范围 是 3.0v~3.6v 为 商业的 和 工业的 产品.
参数 列表 标识
速 bins
单位
55ns
1
)
70ns 85ns
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读
读 循环 时间 tRC 55 - 70 - 85 - ns
地址 进入 时间 tAA - 55 - 70 - 85 ns
碎片 选择 至 输出 tCO - 55 - 70 - 85 ns
输出 使能 至 有效的 输出 tOE - 25 - 35 - 40 ns
碎片 选择 至 低-z 输出 tLZ 10 - 10 - 10 - ns
输出 使能 至 低-z 输出 tOLZ 5 - 5 - 5 - ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 tHZ 0 25 0 25 0 25 ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出 tOHZ 0 25 0 25 0 25 ns
输出 支撑 从 地址 改变 tOH 10 - 10 - 15 - ns
写
写 循环 时间 tWC 55 - 70 - 85 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写 tCW 45 - 60 - 70 - ns
地址 设置-向上 时间 t作 0 - 0 - 0 - ns
地址 有效的 至 终止 的 写 tAW 45 - 60 - 70 - ns
写 脉冲波 宽度 tWP 40 - 50 - 60 - ns
写 恢复 时间 tWR 0 - 0 - 0 - ns
写 至 输出 高-z tWHZ 0 25 0 25 0 30 ns
数据 至 写 时间 overlap tDW 20 - 25 - 35 - ns
数据 支撑 从 写 时间 tDH 0 - 0 - 0 - ns
终止 写 至 输出 低-z tOW 5 - 5 - 5 - ns
CL
1)
1. 包含 scope 和 jig 电容
交流 运行 情况
测试 情况
( 测试 加载 和 输入/输出 涉及)
输入 脉冲波 水平的: 0.4 至 2.2v
输入 rising 和 下落 时间: 5ns
输入 和 输出 涉及 电压:1.5v
输出 加载(看 正确的): cL=100pF+1TTL
CL=30pF+1TTL
数据 保持 特性
1.CS1
≥
vcc-0.2v,CS2
≥
VCC-0.2v, 或者 cs2
≤
0.2v
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 为 数据 保持 VDR
CS1
≥
vcc-0.2v
1)
2.0 - 3.6 V
数据 保持 电流 IDR
vcc=3.0v,CS1
≥
vcc-0.2v
1)
k6x1008t2d-b - - 6
µ
一个
k6x1008t2d-f - - 6
µ
一个
k6x1008t2d-q 10
µ
一个
数据 保持 设置-向上 时间 tSDR
看 数据 保持 波形
0 - -
ms
恢复 时间 tRDR 5 - -